MURP20040CT大电流AN二极管-深圳市红邦半导体有限公司

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MURP20040CT大电流AN二极管

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西门康、三肯、英飞凌、东芝在1200V的单管上性能不错，但其价格一般都比其他品牌高出10%左右，近年来IGBT模块技术越来越成熟，西门康，东芝，富士的IPM发展迅速，在变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电等应用领域都是一种非常理想的方案。

英飞凌IGBT目前发展到了第四代成熟应用.第一代PT型IGBT(Punch Through)穿透型技术. 第二代NPT(Non Punch Through)非穿透型IGBT,第三代Trench沟槽栅极技术,第四代Trench + Field-Stop沟槽栅+场终止技术,硅片的结温从125度发展到150度再到第四代的175度.半导体结温的提高,提升了IGBT晶圆的功率密度,在同等散热条件下功率密度更大.技术的进步降低了IGBT芯片的导通压降,减少了器件的导通损耗。英飞凌IGBT模块在中国工业应用领域其市场份额遥居第一位。通用变频器超过55％；中高压变频器超过80％；逆变电焊机超过50％；感应加热超过80％；运输领域超过70％。英飞凌/EUPEC IGBT模块经过了中国客户十多年的反复选择与考验，树立了在中国的市场主导地位。

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